東芝宣布全球最大容量高速非易失FeRAM
作者：Skyangeles
東芝公司日前宣布開發(fā)出了在非易失性RAM產品中，擁有“全球最大容量”128Mbit，“全球最高速度”1.6GB/s的FeRAM存儲芯片產品。
東芝公司日前宣布開發(fā)出了在非易失性RAM產品中，擁有“全球***容量”128Mbit，“全球***速度”1.6GB/s的FeRAM存儲芯片產品。
FeRAM（Ferroelectric Random Access Memory鐵電RAM）是被業(yè)界給予厚望的下一代非易失性RAM技術之一,它以鐵電物質為原材料,將微小的鐵電晶體集成進電容內,通過施加電場,鐵電晶體的電極在兩個穩(wěn)定態(tài)之間轉換,實現(xiàn)數(shù)據(jù)的寫入與讀取。它擁有非易失性，數(shù)據(jù)存儲時間長，讀寫速度快，工作電壓低等諸多優(yōu)勢，從上世紀九十年代就開始投入商業(yè)制造，但由于容量方面和動輒以GB計的閃存無法相比，遲遲無法得到廣泛應用。
東芝此次利用自有技術，解決了存儲單元小型化后隨之而來的信號衰減問題，實現(xiàn)了目前業(yè)界非易失性RAM的***容量128Mbit。同時改善內部電源供應，更好的利用FeRAM的低功率高速度特性，實現(xiàn)了比當前非易失性RAM極限速度提高8倍的1.6GB/s。
東芝宣布的該款產品僅采用了130nm CMOS工藝制造，存儲單元面積為0.252平方微米，工作電壓1.8V。由于它使用了DDR2接口，因此可以和現(xiàn)有存儲系統(tǒng)兼容，未來將面向手機內存、移動PC、固態(tài)硬盤等應用領域。東芝表示，將在本周召開的ISSCC國際電路會議上公布該產品的更多細節(jié)。
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責任編輯：Robbin Liu
來源：
驅動之家
