近日，俄羅斯遠東聯(lián)邦大學科研工作者奧列格•特列季亞科夫作為俄日美德國際研究團隊的一員，發(fā)現(xiàn)斯格明子霍爾效應(skyrmion Hall effect)，這使得制造更高速、廉價、可靠、非易失性的電子儲存器成為可能。

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科學家們的工作成果發(fā)布在《自然•物理學》(Nature physics)雜志上。奧列格•特列季亞科夫稱，“斯格明子”可能是未來磁存儲技術(shù)的基礎(chǔ)。

斯格明子的間距可僅為幾納米，與此同時，現(xiàn)代硬盤的磁疇最少為100納米。此外，以斯格明子為基礎(chǔ)的內(nèi)存甚至可在缺少電源的情況下保存信息。

特列季亞科夫的同事、俄羅斯遠東聯(lián)邦大學的亞歷山大•薩馬爾達克解釋說，現(xiàn)在科學家們已在基于斯格明子研發(fā)新的數(shù)據(jù)儲存和處理系統(tǒng)。這樣的儲存器元件造價更低，并且工作速度更快，更可靠。

未來它們可用于生產(chǎn)電腦、智能手機以及能夠長時間工作無需充電的傳感器。