在近日國際固態(tài)電路大會(huì)（ISSCC）上，東芝和SanDisk公司聯(lián)合宣布將開始使用一種超高密度NAND閃存技術(shù)。

這種技術(shù)稱為SanDisk X4（4-bit-per-cell），每單元4位信息存儲(chǔ)技術(shù)。這種技術(shù)使用特殊的內(nèi)存控制器，可以在保證速度的同時(shí)整合更高密度的閃存。在單芯片上，東芝和SanDisk可以整合最大8GB閃存，且仍能保持傳輸速度7.8MB/s不變。

通常單個(gè)閃存卡能封裝4個(gè)這樣的高密度芯片，而高端閃存卡則可以在此基礎(chǔ)上增加一倍的存儲(chǔ)容量至64GB。X4技術(shù)的使用主要得益于SanDisk的43nm生產(chǎn)工藝，因?yàn)闁|芝公司去年秋天才完成了32GB閃存卡。

首個(gè)使用X4技術(shù)的產(chǎn)品應(yīng)在今年上半年上市，最初的產(chǎn)品應(yīng)該是記憶卡產(chǎn)品。不過東芝目前為蘋果iPhone和iPod提供閃存芯片，有可能會(huì)在以后繼續(xù)提供更大容量芯片。