如今的內(nèi)存市場上，不僅面臨著價格下滑的壓力，同時技術(shù)發(fā)展也遇到了瓶頸，在20nm節(jié)點之后發(fā)展速度已經(jīng)慢下來了，三星在14nm節(jié)點就用上了EUV光刻工藝，尋求進一步微縮。

然而EUV光刻成本高昂不說，也沒法徹底改變內(nèi)存芯片的技術(shù)難題，三星已經(jīng)做到了12nm工藝，再往后的內(nèi)存工藝很難說，核心原因還是傳統(tǒng)的2D DRAM內(nèi)存技術(shù)快到極限了，就跟CPU邏輯工藝情況類似。

后面怎么辦？作為內(nèi)存一哥，三星也早就在準備新的技術(shù)了，那就是3D DRAM，類似閃存從2D到3D的轉(zhuǎn)變一樣，通過3D堆棧來進一步提高內(nèi)存的存儲密度。

在這個新技術(shù)上，壟斷了全球75%內(nèi)存產(chǎn)能的三星、SK海力士及美光三家公司都在積極研發(fā)，其中三星早在2021年就宣布組建全新的團隊攻關(guān)新一代內(nèi)存技術(shù)。

SK海力士也有類似的計劃，而且他們計劃在明年公布3D DRAM技術(shù)的進展，這個領(lǐng)域目前還沒有哪家公司是絕對的領(lǐng)先，因此搶先公布可以贏得更多機會。

不過3D DRAM內(nèi)存現(xiàn)在還在研發(fā)階段，距離真正量產(chǎn)還要很久，至少三四年后才會有產(chǎn)品問世。