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長江存儲計劃在年底投產(chǎn)32層3D NAND

存儲 存儲設(shè)備
武漢長江存儲有望按計劃在今年年底投產(chǎn)32層3D NAND,力爭未來幾年實(shí)現(xiàn)30萬片每月的晶圓產(chǎn)能目標(biāo)。目前世界上存儲器芯片市場主要由美、日、韓主導(dǎo),是高度壟斷的寡頭市場格局,長江存儲的成立就是希望打破這一行業(yè)壟斷。

  目前世界上存儲器芯片市場主要由美、日、韓主導(dǎo),是高度壟斷的寡頭市場格局,長江存儲的成立就是希望打破這一行業(yè)壟斷。

   根據(jù)消息報道,武漢長江存儲有望按計劃在今年年底投產(chǎn)32層3D NAND,力爭未來幾年實(shí)現(xiàn)30萬片每月的晶圓產(chǎn)能目標(biāo)。

  資料顯示,長江存儲成立于2016年,總投資達(dá)40億美元。依照長江存儲的目標(biāo),2023年要實(shí)現(xiàn)每月30萬片晶圓的產(chǎn)能,年產(chǎn)值1000億元,快速提升國產(chǎn)自給率。

  此外,也有業(yè)界人士透露長江存儲Xtacking™架構(gòu)的64層NAND樣品已經(jīng)送至合作伙伴進(jìn)行測試,讀寫質(zhì)量大致穩(wěn)定,預(yù)計最快將在2019年第3季投產(chǎn)。長江存儲更計劃在2020年跳過96層3D NAND,直接進(jìn)入128層堆疊。

責(zé)任編輯:張誠 來源: 51CTO
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