DDR4內(nèi)存在2014年推出時(shí)，其性能是DDR3內(nèi)存的1.5倍，而內(nèi)存接口的功耗卻令人印象深刻，與DDR3內(nèi)存相比，降低了25%的功耗。此外，DDR4支持每個(gè)模塊的***容量為512 GB，并且具有比其DDR3內(nèi)存更多的存儲(chǔ)空間，以及更快的循環(huán)和增加的引腳數(shù)(284)，以支持更高的尋址能力。

根據(jù)IC Insights的說法，DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)包括一些功能，可以加快內(nèi)存操作，并增加服務(wù)器，筆記本和臺(tái)式機(jī)，平板電腦以及各種消費(fèi)電子產(chǎn)品的SDRAM存儲(chǔ)。更具體地說，DDR4支持多達(dá)8個(gè)器件的堆疊存儲(chǔ)器芯片，向存儲(chǔ)器控制器提供單個(gè)信號(hào)負(fù)載。事實(shí)上，與DDR3內(nèi)存相比，DDR4內(nèi)存提供了雙模塊密度和雙倍速度的潛力，同時(shí)降低了功耗，并延長(zhǎng)了未來64位平板電腦和智能手機(jī)的電池壽命。 DDR4內(nèi)存預(yù)計(jì)今年將成為DRAM的主導(dǎo)產(chǎn)品，其市場(chǎng)份額將達(dá)到58%，而DDR3內(nèi)存的市場(chǎng)份額為39%。

變得更好

雖然DDR4的時(shí)鐘頻率為1.6Gbps至3.2Gbps，但標(biāo)準(zhǔn)化機(jī)構(gòu)固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)(JEDEC)最近公布的下一代DRAM-DDR5內(nèi)存將實(shí)現(xiàn)雙倍的帶寬，從而實(shí)現(xiàn)3.2Gbps至6.4Gbps的時(shí)鐘頻率，以滿足數(shù)據(jù)中心在物聯(lián)網(wǎng)的時(shí)代(IoT)不斷增長(zhǎng)的帶寬需求。事實(shí)上，普遍連接的新時(shí)代已經(jīng)產(chǎn)生了數(shù)字海嘯般的數(shù)據(jù)，這正在推動(dòng)DDR4內(nèi)存突破容量和內(nèi)存帶寬的限制。

雖然DDR5標(biāo)準(zhǔn)制定的工作仍在進(jìn)行中，但早期公開發(fā)布的信息顯示出了許多進(jìn)化的改進(jìn)。這些包括更高的密度，新的命令結(jié)構(gòu)和新的省電功能。 DDR5內(nèi)存還可能引入信號(hào)均衡和糾錯(cuò)功能。

引入高帶寬內(nèi)存(HBM)是提高服務(wù)器內(nèi)存性能的另一種方法。本質(zhì)上，高帶寬內(nèi)存(HBM)通過將低延遲DRAM內(nèi)存放置在更加靠近CPU的位置來支持本地可用內(nèi)存。

此外，高帶寬內(nèi)存(HBM)通過為1024位的SoC提供非常寬的接口來增加存儲(chǔ)器帶寬。這意味著HBM2的***速度為2Gbps，總帶寬為256GB / s。雖然其比特率與2.1Gbps的DDR3內(nèi)存類似，但8位128位通道為HBM提供了大約15倍的帶寬。此外，與現(xiàn)有架構(gòu)相比，四個(gè)HBM存儲(chǔ)器堆棧鄰近CPU，每個(gè)具有256GB /s(例如)的存儲(chǔ)速率，顯著地提高了存儲(chǔ)器密度和帶寬。

除了DDR5內(nèi)存和高帶寬內(nèi)存(HBM)之外，正在部署混合DIMM技術(shù)，如NVDIMM(非易失性DIMM)，以滿足不斷增長(zhǎng)的內(nèi)存容量和帶寬需求。據(jù)JEDEC稱，NVDIMM-P將為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的新型高容量持久存儲(chǔ)器模塊提供針對(duì)成本，功耗和性能優(yōu)化的新內(nèi)存解決方案。事實(shí)上，DIMM的持久內(nèi)存使用支持超大規(guī)模，高性能和高容量數(shù)據(jù)中心的多種用例。這些應(yīng)用包括減少延遲，降低功耗，元數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，內(nèi)存數(shù)據(jù)庫(kù)，軟件定義的服務(wù)器RAID以及意外故障期間的處理負(fù)載減少。

應(yīng)該注意的是，NVDIMM-P可以在DIMM上實(shí)現(xiàn)完全可訪問的閃存，從而允許系統(tǒng)利用非易失性存儲(chǔ)器作為附加的高速存儲(chǔ)器。同時(shí)，NVDIMM-N旨在使閃存作為DRAM的持久存儲(chǔ)器備份。實(shí)際上，這意味著DRAM數(shù)據(jù)本地存儲(chǔ)在閃存上，從而在減少CPU負(fù)載的同時(shí)，并產(chǎn)生持久性(在停電的情況下)。

總而言之，日益相連的世界激勵(lì)了行業(yè)巨頭在數(shù)據(jù)中心實(shí)施和創(chuàng)新新架構(gòu)，以消除各種瓶頸。這其中包括DDR4內(nèi)存和DDR5緩沖芯片，第二代高帶寬內(nèi)存(HBM2)和混合DIMM技術(shù)，如NVDIMM-P和NVDIMM-N。相信存儲(chǔ)行業(yè)廠商需要共同開發(fā)下一代存儲(chǔ)解決方案，同時(shí)堅(jiān)持以最小的變化加快當(dāng)前研發(fā)速度。