NAND閃存進(jìn)入3D時代之后，提高容量的方式主要靠堆棧層數(shù)了，2022年幾大原廠已將層數(shù)提升到232層以上，再下一個目標(biāo)就是超過300層，而且要繼續(xù)提高性能，西數(shù)、鎧俠就公布了相關(guān)信息。

在2023年的VLSI集成電路會議上，他們將發(fā)布最新的研究論文，介紹8平面3D閃存以及堆棧層數(shù)可以超過300層的閃存。

相比當(dāng)前的4平面3D閃存，8平面結(jié)構(gòu)可以增加并行性，他們開發(fā)出的1Tb 3D TLC閃存有210個有源層，IO接口速度達(dá)到了3.2GT/s，跟3月份推出的218層堆棧1Tb 3D TLC閃存非常相似。

這樣的結(jié)構(gòu)明顯提升了TLC閃存的性能，讀取延遲從128層堆棧閃存的56us減少到了40us，速度提升到了205MB/s，差不多能跟當(dāng)前的機(jī)械硬盤一拼了，后者通常的速度在200到250MB/s左右。

這個速度是不是聽上去還是很低？其實這個數(shù)是指TLC閃存的Program編程速度，也就是原始的寫入速度，205MB/s的速度是非常高的，要知道很多TLC閃存原始速度連100MB/s都不一定有，QLC閃存就更低了。

當(dāng)然，這種閃存用于SSD硬盤之后，在多通道及DRAM緩存、SLC緩存等技術(shù)的支持下，速度超過10GB/s都沒問題，哪怕是緩存用盡之后性能也只會比當(dāng)前水平高不少，不用擔(dān)心。

除了高性能TLC閃存之外，西數(shù)鎧俠還在開發(fā)300層甚至400層的高層數(shù)閃存，不過這就要依賴半導(dǎo)體設(shè)備廠商拿出更強大的極高深寬比刻蝕機(jī)了，日本東電公司在這方面已經(jīng)取得了一些進(jìn)展。