引言

美國(guó)的總統(tǒng)辯論會(huì)正在激烈進(jìn)行當(dāng)中，但對(duì)于我國(guó)來(lái)說(shuō)，在芯片制造領(lǐng)域給別國(guó)卡脖子的事件仍在繼續(xù)，繼中芯國(guó)際宣布被美國(guó)納入出口管制名單后，再次把人們的目光聚焦在芯片上。下面就由一劍君帶大家看看芯片制造的流程吧，看看這個(gè)被外界稱為舉國(guó)之力都做不出的芯片，究竟有何神秘之處。

芯片的一般生產(chǎn)流程

芯片的生產(chǎn)流程一般有九道工序，如下圖所示：

其中最主要的就是電路設(shè)計(jì)和制造，而對(duì)于我國(guó)來(lái)說(shuō)，華為海思的麒麟芯片，在設(shè)計(jì)方面已處于世界領(lǐng)先水平，現(xiàn)在主要還是制造工藝，自從臺(tái)積電不能再繼續(xù)為華為生產(chǎn)最先進(jìn)的芯片后，曾被寄予厚望的中芯國(guó)際，當(dāng)前也面臨著被美國(guó)加入出口管制的名單之中。因此，提高芯片的制造工藝，已成為了當(dāng)前卡住我國(guó)信息技術(shù)趕超世界先進(jìn)水平的攔路虎。

芯片制造的六大步驟，看看哪些是最卡脖子

在芯片的制造過(guò)程中，以下幾個(gè)步驟是會(huì)經(jīng)常反復(fù)用到的，如下圖所示。

從中可以看到“光刻”最為重要，而要實(shí)現(xiàn)光刻，就是要用到光刻機(jī)，曾被ASML表示為給了圖紙你們都造不出的光刻機(jī)，其要使用到的就是這里了。一劍君在前文曾說(shuō)到了光刻在芯片制造中的作用，這里就不再敘述了，有興趣了解的可關(guān)注一劍君的頭條號(hào)，或查找《被外界放言舉國(guó)之力皆造不出的光刻機(jī)，真的那么難?》一文。

下面說(shuō)下離子注入，所謂的離子注入，就是將晶圓作為一個(gè)電極，在離子源和晶圓之間加上高電壓，將那些摻雜離子以極高的能量打入晶圓，從而在晶圓上形成N或P型區(qū)域。離子注入主要用于制造不同的半導(dǎo)體區(qū)域(N區(qū)和P區(qū))，同時(shí)還要對(duì)晶圓進(jìn)行修復(fù)，以便由于離子的打擊而使晶圓受到損壞。

結(jié)語(yǔ)

芯片的生產(chǎn)制造過(guò)程是極其反復(fù)的，主要是要求的精度高，而且均是處于納米級(jí)別，離子注入的解說(shuō)，不知大家能否理解得了，歡迎關(guān)注一劍君，共同探究芯片的生產(chǎn)制造過(guò)程，將復(fù)雜的科技問(wèn)題簡(jiǎn)單化，是一劍君一直追求的動(dòng)力。