回想一下，2017~2018 年，什么理財產(chǎn)品最火爆?

答案是內(nèi)存條，一年時間，小小的內(nèi)存條價格翻了 3 倍，還經(jīng)常買不到。

內(nèi)存(DRAM)即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器，是半導(dǎo)體行業(yè)中體量最大的一塊，無論是手機(jī)、PC 還是服務(wù)器，都需要 DRAM 作為數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐ǖ馈?/p>

如果說處理器等領(lǐng)域，中國在半導(dǎo)體行業(yè)還有些存在感，那么存儲市場就幾乎為零了。現(xiàn)在，一家中國廠商，發(fā)布了第一顆 DDR4 規(guī)格的內(nèi)存條。

“砸“出來的突破

長江存儲、合肥長鑫與福建晉華，是中國較為突出的三家存儲芯片企業(yè)，長江存儲主攻 NAND 也就是閃存，長鑫與晉華則是 DRAM(動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)也就是我們平時所說的內(nèi)存條。

2 月 26 日，長鑫存儲正式發(fā)布了其 DDR4、LPDDR4X 內(nèi)存芯片，以及 DDR4 內(nèi)存條、幾款產(chǎn)品均符合國際通行標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。

此次長鑫推出的內(nèi)存芯片，主要用于主流 PC 市場，規(guī)格方面，長鑫 DDR4 內(nèi)存芯片有兩款可以選擇， 單顆容量為 8GB(1GB)，頻率 2666 MHz，電壓 1.2V，工作溫度 0℃ 至 95℃，提供 78ball、96ball FBGA 兩種封裝樣式。

LPDDR4X內(nèi)存芯片在規(guī)格方面單顆容量 2GB、4GB，頻率 3733MHz，電壓 1.8V、1.1V、0.6V，工作溫度 -30℃ 至 85℃，200ball FBGA 封裝。

除了芯片以外，長鑫還推出了成品內(nèi)存條，采用自家的原廠內(nèi)存顆粒，容量為 8GB，DDR4，頻率為2666 Hz。

當(dāng)然，這還不意味著你馬上就能買到國產(chǎn)的內(nèi)存條，目前產(chǎn)品還未上架，長鑫已開始接受上述產(chǎn)品的技術(shù)和銷售咨詢，預(yù)計近期上市。

盡管在行業(yè)研發(fā)上 DDR4 不算是最先進(jìn)的技術(shù)，但是在消費市場，DDR4 內(nèi)存還是主流，頻率上也處在平均水準(zhǔn)。

合肥長鑫于 2016 年由兆易創(chuàng)新、中芯國際前 CEO 王寧國與合肥產(chǎn)投簽訂協(xié)議成立，主要股東為合肥市政府與北京兆易創(chuàng)新，目前，長鑫存儲員工總數(shù)超過 2700 人，技術(shù)人員超過 500 人。CEO 朱一明也是兆易創(chuàng)新的創(chuàng)始人，后者是全球最大的 NOR Flash 供應(yīng)商。

長鑫的建立和規(guī)劃，是半導(dǎo)體行業(yè)典型的“舉國體制”。

2017 年 9 月， 國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金一期宣布入股國產(chǎn)存儲芯片廠商兆易創(chuàng)新，取得約 11% 股權(quán)，成為了其第二大股東。

次月，兆易創(chuàng)新發(fā)布公告，宣布與合肥產(chǎn)投簽署合作協(xié)議，研發(fā) 19 nm 制程的12 英寸晶圓 DRAM，預(yù)算為人民幣 180 億元，兆易創(chuàng)新出資20%，預(yù)計在 2018 年底前研發(fā)成功，實現(xiàn)產(chǎn)品良率不低于 10%。

最終 19 nm 姍姍來遲。2019 年，在安徽合肥召開的 2019 世界制造業(yè)大會上，總投資約 1500 億元的長鑫存儲內(nèi)存芯片自主制造項目宣布投產(chǎn)，整個制造基地項目總投資超過 2200 億元，長鑫也正式宣布自主研發(fā)的基于 19nm 工藝制造的 8Gb DDR4 芯片正式量產(chǎn)。

2019 年 12 月，長鑫存儲技術(shù)有限公司公布其最新的 DRAM 技術(shù)路線圖，將采用19nm工藝生產(chǎn)4Gb和 8Gb DDR4，目標(biāo)在2020年一季度實現(xiàn)商業(yè)化生產(chǎn)。目前長鑫月產(chǎn)能約為2萬片。另外，長鑫存儲計劃再建兩座DRAM晶圓廠。

韓國半導(dǎo)體在各種超大規(guī)模的投資和收購中逐漸成長，我國的半導(dǎo)體行業(yè)也走在這樣的路上。

靠“買買買”追趕技術(shù)的長鑫

目前，全球 DRAM 市場基本上被美韓瓜分，三星、SK 海力士、美光的全球市場份額合計在 95% 左右，而中國龐大的需求，只能依賴進(jìn)口解決。

數(shù)據(jù)顯示，從 2008 年開始，我國集成電路進(jìn)口額超過原油，連續(xù) 11 年成為我國第一大宗的進(jìn)口商品;2019 年1~9 月存儲芯片進(jìn)口量為 2.5 億臺，累計增長 9.5%，進(jìn)口金額為 1139 億元，累計增長4%。

2018 年內(nèi)存條成為理財產(chǎn)品的情景還歷歷在目，要想穩(wěn)定市場價格，打破壟斷，就需要國產(chǎn)存儲器廠商們提升技術(shù)實力。

但是，半導(dǎo)體行業(yè)后來者入局難，除了需要投入高額的研發(fā)費用以外，專利也是關(guān)鍵的門檻。行業(yè)巨頭完全可以通過專利來打擊那些新入局的玩家，畢竟大量的專利掌握在大公司手里。

福建晉華就因為專利問題吃了大虧，不僅被禁售，DRAM 的研發(fā)計劃也被叫停。

而長鑫最關(guān)鍵的一波操作，是 2019 年，吃下了已經(jīng)破產(chǎn)的原歐洲存儲芯片巨頭奇夢達(dá)的大量專利。

2019 年 5 月，長鑫 CEO 朱一明在演講中第一次披露了公司的專利情況，他表示長鑫從已經(jīng)破產(chǎn)的奇夢達(dá)處獲得了大量專利，并且在這個基礎(chǔ)上進(jìn)行了創(chuàng)新，專利申請數(shù)量達(dá)到了 16000 個，還有1000多萬份、約 2.8TB 有關(guān) DRAM 的技術(shù)文件。

2019 年底，長鑫又宣布其與 WiLAN Inc. 合資子公司 Polaris Innovations Limited 有關(guān)達(dá)成專利許可協(xié)議和專利采購協(xié)議。

依據(jù)專利許可協(xié)議，長鑫存儲從 Polaris 獲得奇夢達(dá)(Qimonda)大量DRAM 技術(shù)專利的實施許可，包括與 DRAM、FLASH 存儲器、半導(dǎo)體工藝、半導(dǎo)體制造、光刻(lithography)、封裝、半導(dǎo)體電路和存儲器接口(Memory Interfaces)相關(guān)的技術(shù)，其中包括約 5000 種美國專利和申請。

專利不僅僅是為了提升技術(shù)實力，更是為了繞過專利的封鎖圍堵。

當(dāng)然，我國半導(dǎo)體行業(yè)依然是處在追趕階段。目前，長鑫存儲把將奇夢達(dá)的 46nm 工藝改進(jìn)到了 10nm 級別，但制程也有高低之分。

如果用制程節(jié)點表示，1x nm制程相當(dāng)于 16~19 nm，1y nm制程相當(dāng)于 14~16nm ，1z nm制程相當(dāng)于 12~14nm，此外行業(yè)還規(guī)劃了 1α、1β 和 1γ 節(jié)點。

其中，長鑫的 10nm 存儲芯片屬于第一代的 1x nm，而美光與 SK 海力士已經(jīng)開始量產(chǎn)第二代 1y nm制程。今年初的 CES 上，美光就展示了基于 1y nm的 12G LPDDR5 內(nèi)存，由小米 10 首發(fā)，同時美光也表示今年晚些時候會推出 1z nm 級的產(chǎn)品。

而三星電子則是正式宣布已開始量產(chǎn)用于旗艦級手機(jī)的 16GB LPDDR5 內(nèi)存，還計劃在今年下半年量產(chǎn)基于 10nm 級(1z)處理技術(shù)的16GB LPDDR5內(nèi)存。

除了制程以外，產(chǎn)能也需要提升。

長鑫第一期投資約為 72 億美元，預(yù)計產(chǎn)能就有 12.5 萬片晶圓/月。當(dāng)然這是理想結(jié)果，長鑫預(yù)計 2019 年底能達(dá)到 4 萬片晶圓/月，達(dá)到全球產(chǎn)能的 3%。作為對比，三星等巨頭單月產(chǎn)量能達(dá)到 130 萬片，還有較大差距。

2020 年，回暖的存儲市場

DRAM 是計算設(shè)備的核心組件之一，由于龐大的需求量，DRAM 一直是半導(dǎo)體行業(yè)出貨的主力軍。

IC Insights 《2020~2024年全球晶圓產(chǎn)能報告》顯示，DRAM 在 2019 年預(yù)期銷售金額將下降 38%，但仍將成為所有半導(dǎo)體產(chǎn)品中銷售金額最大的產(chǎn)品，占總半導(dǎo)體銷售總金額 17%，市場將達(dá) 620 億美元規(guī)模。

銷售額下降主要是因為 2018 年價格的飛漲，這一年也是自 1990 年以來，DRAM 銷售額首次超過微處理器(MPU)的總銷售額。

2018 年前后熱炒內(nèi)存，是由于上游閃存顆粒嚴(yán)重缺貨，導(dǎo)致存儲芯片難產(chǎn)，價格因此瘋漲。而廠商們嗅到了商機(jī)，因此開始擴(kuò)充產(chǎn)能，以填補市場空缺。

但隨后市場開始低迷，產(chǎn)能過剩，存儲芯片價格又開始走跌。

目前，市場開始穩(wěn)定下來，一些機(jī)構(gòu)預(yù)熱今年市場將回溫。IC Insights 的報告就指出，部分存儲芯片廠重啟產(chǎn)能擴(kuò)充計劃，預(yù)計 2020 年及 2021 年全球新增晶圓產(chǎn)能將大幅增加，進(jìn)入高速擴(kuò)張期。

任天堂、索尼、華為、蘋果存儲芯片的主要供應(yīng)商臺灣旺宏電子(Macronix)也預(yù)測，2020 年存儲芯片價格將反彈，市場需求也將穩(wěn)定復(fù)蘇。

除了價格周期以外，技術(shù)的更新?lián)Q代也將到來。

回顧歷史，2000 年推出了 DDR，2003 年DDR2，2007 年 DDR3，2014 年 DDR4。按照規(guī)劃，2020 年開始 DDR5 會逐漸走入消費市場，首先是移動設(shè)備，然后是 PC。

此外，5G 和云的持續(xù)發(fā)展，也是存儲市場回暖的一個推手。

5G 網(wǎng)絡(luò)的推進(jìn)，也會促進(jìn) LPDDR5 的應(yīng)用與普及，高速的網(wǎng)絡(luò)需要高速的存儲性能與之配套。美光科技移動產(chǎn)品事業(yè)部市場副總裁 Christopher Moore 就表示，5G 網(wǎng)絡(luò)的部署將大大促進(jìn)LPDDR5 的應(yīng)用與普及。

此外，服務(wù)器端、云存儲、汽車等領(lǐng)域，都將逐漸采用 DDR5 規(guī)格，用來滿足日益增長的性能需求。到 2022 年前后，DDR5/LPDDR5 有望超越 DDR4 成為市場主流。

長鑫存儲的規(guī)劃圖顯示，公司下一代將推出第二代 10nm(17nm)技術(shù)，DDR5 也在下一期規(guī)劃當(dāng)中。

總之，今年是存儲市場開始回暖的一年，對于中國存儲來說，長鑫的 DDR4 是一個節(jié)點，標(biāo)志著中國的 DRAM 在應(yīng)用市場追上了主流水平。不過，技術(shù)上的差距仍然肉眼可見。

未來幾年，隨著 PC 市場也開始過渡到 DDR5。當(dāng)這一規(guī)格成為主流后，中國廠商們無疑將會面對的更大的挑戰(zhàn)。