【51CTO.com快譯】一家以色列小公司正在利用納米技術(shù)打破存儲器領(lǐng)域的瓶頸。半導(dǎo)體公司W(wǎng)eebit Nano最近推出了SiOx ReRAM，它聲稱這是目前在開發(fā)中的最小巧、最節(jié)能的隨機(jī)存取存儲器（RAM）。一旦商業(yè)化，該公司預(yù)計(jì)有望提升存儲激增數(shù)據(jù)的能力。

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總部位于澳大利亞悉尼的TMT Analytics的負(fù)責(zé)人Marc Kennis解釋，ReRAM（電阻式RAM）是一種混合技術(shù)，由于速度快、密度高，有朝一日有望取代存儲界的NAND閃存和DRAM。他表示，ReRAM與閃存一樣是非易失性，但速度與DRAM一樣快。

Weebit結(jié)合了ReRAM與SiOX（二氧化硅），正試圖獲得快速、通用、低能耗的存儲介質(zhì)，又能夠保存大量數(shù)據(jù)。尺寸也很?。荒壳皟H40納米大小。捎帶提一下，1納米是10億分之一米。

數(shù)據(jù)保存能力是這個(gè)項(xiàng)目的一個(gè)重要目標(biāo)。最近，Weebit Nano證明了其技術(shù)可以將存儲的信息保存10年以上。

速度是另一個(gè)重要的方面。該技術(shù)幾乎與DRAM速度一樣快。Kennis表示，Weebit的存儲器單元集DRAM和閃存的優(yōu)點(diǎn)于一身，不但速度非?？?，還能長期保存數(shù)據(jù)。

Weebit Nano處理數(shù)據(jù)存儲的方式與目前大多數(shù)技術(shù)通過閃存和DRAM來處理的方式截然不同。

他說："展望未來，將DRAM存儲器單元縮減到遠(yuǎn)小于20納米的尺寸面臨成本迅速增加到難以承受的地步。此外，3D NAND閃存中做到超過128層目前被認(rèn)為是一大挑戰(zhàn)，因?yàn)樵谖g刻多層的同時(shí)沉積更高縱橫比的NAND string閃存單元將犧牲可制造性和可靠性。"

Kennis認(rèn)為，這項(xiàng)技術(shù)大有潛力，有望在三五年內(nèi)補(bǔ)充甚至部分取代DRAM和閃存。他預(yù)計(jì)該技術(shù)在數(shù)據(jù)中心、智能手機(jī)、筆記本電腦和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備等領(lǐng)域會牢牢占有一席之地。

多年來Weebit Nano一直致力于研究這項(xiàng)技術(shù)，將尺寸從300納米縮小至40納米。***執(zhí)行官Coby Hanoch表示，下一個(gè)目標(biāo)是進(jìn)一步縮小至29納米。

原文標(biāo)題：Will Nano ReRAM Eventually Replace DRAM and Flash?，作者：Karen D. Schwartz

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