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分析師:永久內(nèi)存技術(shù)很酷,但價(jià)格過(guò)高

商務(wù)辦公
有分析師表示,XPoint和其他永久內(nèi)存技術(shù)成為服務(wù)器設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)的前景正在受到阻礙,因?yàn)檫@些部分成本太高。因?yàn)檫@是小批量生產(chǎn)的,所以不會(huì)出現(xiàn)規(guī)模經(jīng)濟(jì)使其成本更低一些。

有分析師表示,XPoint和其他***內(nèi)存技術(shù)成為服務(wù)器設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)的前景正在受到阻礙,因?yàn)檫@些部分成本太高。

因?yàn)檫@是小批量生產(chǎn)的,所以不會(huì)出現(xiàn)規(guī)模經(jīng)濟(jì)使其成本更低一些。

Object Analysis分析師Jim Handy在1月份的SNIA閃存高峰會(huì)上解釋了這一點(diǎn),并從內(nèi)存層開(kāi)始分析。

 

分析師:***內(nèi)存技術(shù)很酷,但價(jià)格過(guò)高
Objective Analysis內(nèi)存層的幻燈片

這個(gè)圖表顯示了在一個(gè)以性能定義的領(lǐng)域的內(nèi)存和存儲(chǔ)技術(shù),也就是帶寬(垂直訪問(wèn))和成本(橫軸)。

從左到右有一個(gè)對(duì)角線,從底部的磁帶(慢速低成本)到磁盤、SSD、DRAM和緩存層到L1緩存,這是圖表上最快和也是成本***的部分。

在任何時(shí)候任何點(diǎn)想要沖入內(nèi)存層的新技術(shù)都要比它之下的技術(shù)性能更高,比其上的成本更低。

我們已經(jīng)看到NVDIMM試圖填補(bǔ)SSD-DRAM的差距,但普遍失敗了——例如Diablo Technologies。

Handy表示,在2004年前后NAND也遭遇了同樣的問(wèn)題,在此之前SLC(1位/單元)規(guī)格下,要比DRAM(每GB成本)成本更高,盡管一個(gè)100毫米模片采用了44納米工藝、可保存8GB的數(shù)據(jù),相比之下同樣的DRAM模片可保存4GB數(shù)據(jù)。兩倍的數(shù)量意味著成本減半,但實(shí)際上并沒(méi)有——因?yàn)闆](méi)有足夠的產(chǎn)量來(lái)實(shí)現(xiàn)規(guī)模經(jīng)濟(jì)。

Handy表示,2004年,NAND閃存晶圓的數(shù)量達(dá)到DRAM晶片數(shù)量的三分之一,我們看到了一個(gè)交叉點(diǎn):

 

分析師:***內(nèi)存技術(shù)很酷,但價(jià)格過(guò)高

自從NAND和DRAM價(jià)格曲線分開(kāi)之后,MLC(2位/單元)、TLC(3位/單元)和3D NAND(更多位/芯片)也加速了分離。

后來(lái)出現(xiàn)的***內(nèi)存(PM)技術(shù)的制造成本很高,因?yàn)樗婕暗叫虏牧虾托鹿に?,這使其更加昂貴,這就延長(zhǎng)了獲得制造規(guī)模經(jīng)濟(jì)所需的時(shí)間。

制造更多,支持更多

對(duì)于XPoint來(lái)說(shuō),NAND、NVDIMM-N以及其他針對(duì)填補(bǔ)DRAM-NAND空白的***內(nèi)存技術(shù)帶來(lái)的經(jīng)驗(yàn)教訓(xùn),就是其制造產(chǎn)量需要足夠高以提供一個(gè)能夠填補(bǔ)內(nèi)存層圖表上空白的性價(jià)比:

 

分析師:***內(nèi)存技術(shù)很酷,但價(jià)格過(guò)高

Handy認(rèn)為,其制造量需要接近DRAM,還需要軟件支持,特別是***內(nèi)存,要支持運(yùn)行在Linux、Windows和VMware上。最初的PM占用是針對(duì)性能的,并且要求比NAND性能更高的速度和低于DRAM的價(jià)格。

Handy認(rèn)為,在XPoint實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)之前是不會(huì)普及的。他表示,英特爾有足夠的動(dòng)力來(lái)實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。

評(píng)論

如果三星能夠使其Z-SSD價(jià)格足夠便宜,那么它可以比XPoint更快地填補(bǔ)內(nèi)存層上的DRAM與SSD之間的空白,并防止XPoint成為主流,而三星在開(kāi)發(fā)自己的后NAND永內(nèi)存技術(shù)以趕超XPoint。

其次,與XPoint競(jìng)爭(zhēng)的技術(shù),如STT-RAM、ReRAM和相變內(nèi)存都還在開(kāi)發(fā)中,除非有一個(gè)實(shí)際的路徑來(lái)制造影響力。這是一個(gè)嚴(yán)酷的世界。

責(zé)任編輯:未麗燕 來(lái)源: The Register
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