近日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)和中科院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND存儲(chǔ)器研發(fā)項(xiàng)目取得新進(jìn)展，32層3D NAND芯片順利通過電學(xué)特性等各項(xiàng)指標(biāo)測(cè)試，達(dá)到預(yù)期要求，成功實(shí)現(xiàn)了工藝器件和電路設(shè)計(jì)的整套技術(shù)驗(yàn)證，向產(chǎn)業(yè)化道路邁出具有標(biāo)志性意義的關(guān)鍵一步。

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存儲(chǔ)器作為我國(guó)集成電路支柱產(chǎn)業(yè)，目前主要依賴進(jìn)口，我國(guó)對(duì)DRAM和NAND Flash產(chǎn)品需求占全球消費(fèi)量的比例超過20%。同時(shí)，存儲(chǔ)器也是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出***的領(lǐng)域，占整個(gè)行業(yè)的38%。

3D NAND作為一種創(chuàng)新的半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)，通過增加存儲(chǔ)疊層實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)密度增長(zhǎng)，拓寬了存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展空間，但其結(jié)構(gòu)的高度復(fù)雜性給工藝制造帶來全新的挑戰(zhàn)。目前在3D NAND領(lǐng)域，三星量產(chǎn)了48層產(chǎn)品，64層和90層產(chǎn)品正在研發(fā)中。在大數(shù)據(jù)需求快速增長(zhǎng)的驅(qū)動(dòng)下，存儲(chǔ)器芯片已成為電子信息領(lǐng)域市場(chǎng)份額***的集成電路產(chǎn)品，潛在市場(chǎng)空間巨大。

為加快存儲(chǔ)器國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程，國(guó)家半導(dǎo)體基金對(duì)該領(lǐng)域的投資力度加大。去年12月由紫光集團(tuán)聯(lián)合國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設(shè)的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目，在武漢東湖高新區(qū)正式動(dòng)工建設(shè)，該項(xiàng)目總投資240億美元，主要生產(chǎn)存儲(chǔ)器芯片。據(jù)了解，該項(xiàng)目將建設(shè)3座全球單座潔凈面積***的3D NAND Flash Fab廠房，一期項(xiàng)目計(jì)劃2018年建成投產(chǎn)，到2020年完成整個(gè)項(xiàng)目，該項(xiàng)目總產(chǎn)能將達(dá)到30萬片/月，年產(chǎn)值將超過100億美元。

存儲(chǔ)芯片作為集成電路的三大品類之一，目前廣泛應(yīng)用于內(nèi)存、消費(fèi)電子、智能終端和固態(tài)存儲(chǔ)硬盤等領(lǐng)域，其銷售額占整個(gè)芯片產(chǎn)業(yè)的比重超過25%。賽迪顧問數(shù)據(jù)顯示，2014年我國(guó)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到2465.5億元，占國(guó)內(nèi)集成電路市場(chǎng)份額的23.7%，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片基本依靠進(jìn)口，每年進(jìn)口存儲(chǔ)芯片的金額高達(dá)600億美元。從市場(chǎng)份額占比來看，截至去年第三季度，三星電子在全球DRAM存儲(chǔ)器領(lǐng)域的份額達(dá)到50.2%，SK海力士占24.8%的份額。在NAND Flash領(lǐng)域，三星電子的全球市場(chǎng)份額為36.6%，SK海力士占10.4%的份額。

在政策大力扶持和國(guó)家科技重大專項(xiàng)的***下，我國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)將步入快速擴(kuò)容期，并帶動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備及材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展。國(guó)際半導(dǎo)體協(xié)會(huì)(SEMI)公布的2016年和2017年全球新建晶圓廠超過19座，其中有10座建于我國(guó)。按照政策目標(biāo)，我國(guó)集成電路市場(chǎng)規(guī)模占全球60%，但自給率僅為27%，到2020年芯片自給率要達(dá)到40%。隨著存儲(chǔ)器技術(shù)的不斷突破將帶動(dòng)材料設(shè)備和封測(cè)產(chǎn)業(yè)快速增長(zhǎng)，國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程有望加快。