NAND Flash的普及給發(fā)展緩慢的存儲市場注入了新的動力，雖然相比較機(jī)械硬盤(HDD)的價格仍然較高，但憑借著出色的性能表現(xiàn)，全閃存陣列已經(jīng)穩(wěn)穩(wěn)的占據(jù)了存儲高端市場。目前，很多公司的關(guān)鍵性業(yè)務(wù)上均采用了高端的全閃存存儲。

[[170017]]

NAND Flash開創(chuàng)了固態(tài)硬盤(SSD)時代

　　雖然，NAND Flash開創(chuàng)了固態(tài)硬盤(SSD)時代，優(yōu)勢已經(jīng)得到了認(rèn)可。但是，隨著新技術(shù)的發(fā)展，僅僅只是開始的NAND Flash，或?qū)⒚媾R著被淘汰的命運(yùn)。

　　首先，由美光(Micro)和英特爾(Intel)合作開發(fā)的3D XPoint技術(shù)已經(jīng)正式對外公布，3D XPoint開發(fā)人員表示，新儲存裝置的速度和耐用度可達(dá)到NAND Flash的1,000倍。英特爾與美光在不久之前宣布設(shè)立新的品牌來推廣3D XPoint技術(shù)。intel宣布設(shè)立基于3D-Xpoint技術(shù)的固態(tài)硬盤新品牌命名為Optane ，美光科技也推出新的固態(tài)硬盤品牌，命名為QuantX。

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3D XPoint是一種新的非易失性存儲技術(shù)

　　3D XPoint是一種新的非易失性存儲技術(shù)，也就是能像NAND閃存那樣斷電保持?jǐn)?shù)據(jù)，但同時又有著極高的速度和性能，能夠達(dá)到DRAM內(nèi)存級別，因此它既能做成硬盤，也能做成內(nèi)存，而且單位容量成本介于二者之間，堪稱夢幻黑科技。

　　其次，IBM根據(jù)相變化存儲器(Phase Change Memory)修正后開發(fā)的新型態(tài)儲存裝置，這項(xiàng)技術(shù)還可通過減少在迭代之間讀取數(shù)據(jù)時導(dǎo)致的延遲開銷，大大提高采用大型數(shù)據(jù)集的機(jī)器學(xué)習(xí)算法的速度。IBM則表示其開發(fā)的PCM在讀取和寫入速度方面比NAND Flash快上數(shù)百倍，預(yù)計(jì)可進(jìn)行1,000萬次讀取循。

　　相變化存儲器(Phase Change Memory)與DRAM不同，在斷電時不會丟失數(shù)據(jù)，并且這種技術(shù)可實(shí)現(xiàn)至少1000萬次重復(fù)擦寫次數(shù)，而普通的USB閃存記憶棒(U盤)最多只能重復(fù)擦寫3000次。另外，相變化存儲器(Phase Change Memory)存儲器可以獨(dú)立使用，或者用作混合應(yīng)用設(shè)備的一部分，此類混合應(yīng)用設(shè)備整合了相變化存儲器(Phase Change Memory)和閃存，以相變化存儲器(Phase Change Memory)作為速度極快的高速緩沖存儲器(Cache)。在消費(fèi)領(lǐng)域，手機(jī)的操作系統(tǒng)可儲存在相變化存儲器(Phase Change Memory)中，使手機(jī)可在幾秒鐘內(nèi)開機(jī)。在企業(yè)領(lǐng)域，整個數(shù)據(jù)庫都可儲存在PCM中，可為時間要求苛刻的在線應(yīng)用(例如金融交易)提供超快的查詢處理。

　　無論從哪一種技術(shù)來看，NAND Flash已經(jīng)看起來是一種老舊的技術(shù)，雖然NAND Flash還并未普及。

　　當(dāng)然，這些新技術(shù)從開發(fā)到應(yīng)用，還需要一段時間。另外，新技術(shù)上市之前，價格往往都非常昂貴。不過，從成本上來看，NAND Flash與這些新技術(shù)相比并沒有任何的優(yōu)勢，所以淘汰只是時間的問題。