聊聊國(guó)內(nèi)芯片行業(yè)的現(xiàn)狀,差距與未來(lái)
國(guó)內(nèi)芯片行業(yè)的代表就是中芯國(guó)際,世界芯片行業(yè)的代表就是臺(tái)積電、三星和英特爾今天借著中芯梁老的一封信,說(shuō)一下個(gè)人的觀點(diǎn)。
臺(tái)積電現(xiàn)狀
臺(tái)積電之前就公開(kāi)表態(tài),2020年他們是唯一能夠量產(chǎn)5nm工藝的晶圓代工廠。雖然年初2月份高通發(fā)布的曉龍X60基帶,是全球第一個(gè)5nm工藝的芯片被證實(shí)是三星代工的。但不可否認(rèn)的是,臺(tái)積電在5nm工藝上仍然有足夠的底氣。再加上正面曝光的4nm、3nm的芯片研制進(jìn)程,最快2021年就可以看到3nm的芯片產(chǎn)品,并在2022年進(jìn)入大批量生產(chǎn)。這里我們不去討論上面的3nm、4nm到底是不是真正的調(diào)制程的問(wèn)題。單從性能和功耗的角度來(lái)看,這些新的芯片仍然是世界頂尖水平。這就是目前臺(tái)積電的現(xiàn)狀。
中芯國(guó)際現(xiàn)狀
借助中芯國(guó)際梁老的信,我們可以看出來(lái)。目前中芯國(guó)際的能規(guī)模量產(chǎn)的是28nm\14nm\12nm,7nm的技術(shù)開(kāi)發(fā)已經(jīng)完成,5nm和3nm的技術(shù)在有序展開(kāi)。而研發(fā)生產(chǎn)最主要的EUV光刻機(jī),早在2018年就已經(jīng)下單,直到現(xiàn)在也沒(méi)有交貨。按照目前的形勢(shì),估計(jì)中芯國(guó)際真正拿到光刻機(jī),也是遙遙無(wú)期的事情。雖然技術(shù)研究一直都在進(jìn)行,但實(shí)踐卻受阻?,F(xiàn)在又爆出中芯國(guó)際空降高管事件,再次增加了中芯國(guó)際的不確定因素。一直在追趕先進(jìn)的芯片技術(shù),這就是中芯國(guó)際的現(xiàn)狀。
理想情況
我們從臺(tái)積電和三星的14nm到7nm進(jìn)程時(shí)間來(lái)看,臺(tái)積電花了2年時(shí)間,三星花了3年時(shí)間。我們排除掉美國(guó)技術(shù)制裁影響,在理想的情況下,中芯國(guó)際和現(xiàn)在的臺(tái)積電5nm水平,中間只相隔了2代。從這里就可以看出來(lái),中芯國(guó)際和臺(tái)積電之間的差距。在現(xiàn)有的硅基芯片賽道里,我們要實(shí)現(xiàn)超越難度實(shí)在太高了,看起來(lái)就是一個(gè)不可能的任務(wù)。
芯片新技術(shù)
目前的市面上的芯片都是用硅芯片制作的硅半導(dǎo)體集成電路,也叫硅基芯片。隨著硅芯片的制程逐漸逼近極限,硅也正在達(dá)到它的極限。目前半導(dǎo)體廠商在3nm以下的芯片走向都沒(méi)有明確答案。大多數(shù)認(rèn)為,“摩爾定律”將走向終結(jié),取代硅芯片的將是另外一種新材料芯片。目前有提出來(lái)的新材料有:石墨烯、碳納米管、碳化硅、氮化鎵等,但這些都沒(méi)有資料明確的表明能代替現(xiàn)有的硅芯片。唯一能確定的是:如果新的代替芯片產(chǎn)生,將會(huì)打破現(xiàn)有的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)壟斷格局,所有硅芯片的技術(shù)積累都將清零。而擁有這項(xiàng)技術(shù)的國(guó)家將會(huì)獲得新一代的芯片技術(shù)控制權(quán)。而我們一直在往這個(gè)方向努力著,芯片人!加油!
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