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兩手都要硬:全閃存陣列兼具高性能與高可用

企業(yè)動(dòng)態(tài)
華為OceanStor Dorado V3作為新一代全閃存陣列,從組件到系統(tǒng)都是針對(duì)閃存特性而設(shè)計(jì),性能與可靠性都能全面滿足數(shù)據(jù)庫(kù)、虛擬桌面等企業(yè)級(jí)應(yīng)用需求,同時(shí)OceanStor Dorado V3處于華為聯(lián)手云計(jì)算、存儲(chǔ)、操作系統(tǒng)、網(wǎng)絡(luò)以及系統(tǒng)集成商等合作伙伴打造的完整生態(tài)之中,客戶可以借助這一生態(tài)平滑的將自己的業(yè)務(wù)遷至全閃存陣列上。

剛過(guò)去的天貓“雙十一”支付峰值為25.6萬(wàn)筆/秒,數(shù)據(jù)庫(kù)處理峰值為4600萬(wàn)次/秒;而一個(gè)證券交易平臺(tái)高峰期系統(tǒng)需要處理數(shù)萬(wàn)甚至十幾萬(wàn)筆交易,而這背后閃存的廣泛應(yīng)用功不可沒(méi)。但就存儲(chǔ)介質(zhì)性能而言,一個(gè)主流NVMe SSD的IOPS能夠達(dá)到50萬(wàn)甚至接近100萬(wàn),延遲卻低于100μs,相對(duì)于IOPS只有不到200、延遲ms級(jí)的HDD,SSD推動(dòng)存儲(chǔ)介質(zhì)性能實(shí)現(xiàn)了質(zhì)的飛躍,而這之后,全閃存陣列應(yīng)運(yùn)而生。

從無(wú)到有 從有到優(yōu)的全閃存陣列

    早期的全閃存陣列以Violin Memory以及TMS(后被IBM收購(gòu))為代表,其特點(diǎn)是通過(guò)復(fù)雜的硬件架構(gòu)實(shí)現(xiàn)設(shè)備的高性能,這兩家公司打開(kāi)了全閃存陣列市場(chǎng)的大門,但是由于設(shè)備軟件功能不足,易用性較差,最終走向衰落。此后主流存儲(chǔ)廠商開(kāi)始嘗試改良自己的磁盤(pán)陣列推出全閃存或者混合陣列,這樣的陣列借助原有存儲(chǔ)系統(tǒng)成熟的架構(gòu)能夠很好的服務(wù)于上層業(yè)務(wù),但是閃存與磁盤(pán)特性上有著本質(zhì)的不同,所以這樣的產(chǎn)品在性能上有著無(wú)法突破的瓶頸。

    隨著閃存技術(shù)的不斷演進(jìn),全閃存陣列的設(shè)計(jì)思路也越來(lái)越清晰,那就是既要有閃存的高性能又要具有傳統(tǒng)陣列豐富的軟件功能,如今閃存陣列已經(jīng)發(fā)展至第四代,以華為的OceanStor Dorado V3的全閃存陣列為代表。

從組件到系統(tǒng)級(jí)的技術(shù)革新 實(shí)現(xiàn)極限性能以及6個(gè)9高可用性

    為了追求性能極限,華為從底層的SSD到上層的資源管理算法和系統(tǒng)都進(jìn)行了***針對(duì)性的設(shè)計(jì)。首先華為擁有自研的SSD控制器芯片,包括FTL在內(nèi)的SSD核心功能和算法都放在控制器芯片中實(shí)現(xiàn),性能高并且不會(huì)過(guò)多占用系統(tǒng)CPU資源。

    同時(shí),基于FlashLink™的盤(pán)控配合技術(shù),這項(xiàng)技術(shù)通過(guò)SSD驅(qū)動(dòng)與控制器軟件的配合,將數(shù)據(jù)更均勻的分配到每一塊SSD盤(pán)中,并根據(jù)SSD盤(pán)的狀態(tài)動(dòng)態(tài)調(diào)整分配算法。在此基礎(chǔ)上,磨損均衡以及垃圾回收等操作會(huì)更加高效,比如系統(tǒng)會(huì)定期向 SSD 控制器查詢盤(pán)片磨損程度,并將磨損程度高低作為分配空間的判斷依據(jù)之一,從而實(shí)現(xiàn)了全局的磨損均衡。

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華為FlashLink盤(pán)控配合技術(shù)概述

    

    華為OceanStor Dorado V3 的FlashLink是華為為全閃存陣列而設(shè)計(jì)的一系列算法集合,包含有大塊順序?qū)憽⒃獢?shù)據(jù)獨(dú)立分區(qū)以及I/O優(yōu)先級(jí)調(diào)整等技術(shù)。

大塊順序?qū)?/p>

    是指系統(tǒng)將多個(gè)離散的數(shù)據(jù)塊在控制器內(nèi)存中進(jìn)行聚合形成一個(gè)大數(shù)據(jù)塊,順序?qū)懭隨SD,如此可以減少SSD的垃圾塊。

元數(shù)據(jù)獨(dú)立存放

    是指可控制器可以自動(dòng)感知硬盤(pán)內(nèi)的數(shù)據(jù)布局,在控制器和SSD盤(pán)內(nèi)同步執(zhí)行元數(shù)據(jù)與數(shù)據(jù)的分離存放操作。

    FlashLink還會(huì)對(duì)I/O優(yōu)先級(jí)別進(jìn)行了標(biāo)識(shí)并進(jìn)行智能調(diào)整。數(shù)據(jù)讀寫(xiě)請(qǐng)求高于Cache批量寫(xiě)、硬盤(pán)重構(gòu)等I/O,保障優(yōu)先的業(yè)務(wù)數(shù)據(jù)讀寫(xiě)在***順序響應(yīng)。

    在FlashLink以及高性能的SSD支持下,華為OceanStor Dorado V3可以實(shí)現(xiàn)400萬(wàn)IOPS,0.5ms穩(wěn)定時(shí)延。另一方面,高性能的基礎(chǔ)上,高可靠和高可用是全閃存陣列的必備特性。華為OceanStor Dorado V3全閃存陣列可以實(shí)現(xiàn)6個(gè)9高可用性,并且允許3盤(pán)同時(shí)失效,實(shí)現(xiàn)如此高標(biāo)準(zhǔn)的可用性,依靠的是華為全面的數(shù)據(jù)保護(hù)技術(shù)。

首先

    華為SSD的MTBF可以達(dá)到業(yè)界***的300萬(wàn)小時(shí),擁有LDPC以及SSD內(nèi)部RAID等高可靠技術(shù)。

另外

    華為的RAID-TP技術(shù)采用每個(gè)條帶生成 3 個(gè)校驗(yàn)數(shù)據(jù),允許同一RAID組內(nèi)3塊盤(pán)失效,重構(gòu)1TB數(shù)據(jù)時(shí)間在30分鐘以內(nèi)。

    方案層面,華為OceanStor Dorado V3可以提供免網(wǎng)關(guān)雙活解決方案,這一方案支持兩個(gè)數(shù)據(jù)中心的存儲(chǔ)同一個(gè) LUN 支持業(yè)務(wù)同時(shí)讀寫(xiě),正常情況下提供業(yè)務(wù)負(fù)載分擔(dān)部署,實(shí)現(xiàn)跨數(shù)據(jù)中心的業(yè)務(wù)負(fù)載均衡。免網(wǎng)關(guān)的設(shè)計(jì)使得系統(tǒng)組網(wǎng)簡(jiǎn)單,容易部署;減少一個(gè)故障點(diǎn),可靠性更好;同時(shí)避免了網(wǎng)關(guān)設(shè)備額外引入的約1~1.6ms的時(shí)延,性能更好。

    如果說(shuō)高性能與高可靠是全閃存陣列的必備特性,那么重復(fù)數(shù)據(jù)刪除、便捷的管理以及靈活部署則是全閃存陣列的升級(jí)版亮點(diǎn)。華為OceanStor Dorado V3一大亮點(diǎn)就是重復(fù)數(shù)據(jù)刪除功能。

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華為OceanStor Dorado V3在數(shù)據(jù)庫(kù)和虛擬化場(chǎng)景下數(shù)據(jù)縮減承諾

    用戶數(shù)據(jù)進(jìn)入系統(tǒng)后,Cache 先緩存數(shù)據(jù),此時(shí)系統(tǒng)會(huì)對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行分塊(默認(rèn)為8K),接著生成數(shù)據(jù)塊指紋并與系統(tǒng)指紋數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)比,沒(méi)有相同的指紋則將數(shù)據(jù)塊寫(xiě)到SSD上并記錄新指紋,當(dāng)比對(duì)成功,就不再進(jìn)行數(shù)據(jù)落盤(pán)操作,而是增加指紋計(jì)數(shù)。需要指出的是在線重復(fù)數(shù)據(jù)刪除不會(huì)影響OceanStor Dorado V3的性能,當(dāng)前所有OceanStor Dorado V3的測(cè)試數(shù)據(jù)也是在這項(xiàng)功能開(kāi)啟時(shí)測(cè)得的。

    華為OceanStor Dorado V3作為新一代全閃存陣列,從組件到系統(tǒng)都是針對(duì)閃存特性而設(shè)計(jì),性能與可靠性都能全面滿足數(shù)據(jù)庫(kù)、虛擬桌面等企業(yè)級(jí)應(yīng)用需求,同時(shí)OceanStor Dorado V3處于華為聯(lián)手云計(jì)算、存儲(chǔ)、操作系統(tǒng)、網(wǎng)絡(luò)以及系統(tǒng)集成商等合作伙伴打造的完整生態(tài)之中,客戶可以借助這一生態(tài)平滑的將自己的業(yè)務(wù)遷至全閃存陣列上。

    未來(lái),華為將把新存儲(chǔ)介質(zhì)(比如SCM)、NVMe over Fabrics等技術(shù)全面融入到全閃存陣列中,推動(dòng)數(shù)據(jù)中心全面進(jìn)入全閃存時(shí)代。

全文結(jié)束--

責(zé)任編輯:張燕妮 來(lái)源: 51CTO
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