華為在美國(guó)2016閃存峰會(huì)展示第六代企業(yè)級(jí)SSD
[美國(guó)，圣克拉拉，2016年8月12日] 近日，華為在2016閃存峰會(huì)（Flash Memory Summit）上展示了華為第六代企業(yè)級(jí)SSD——ES3000 V3系列NVMe SSD，該產(chǎn)品具有性能高、響應(yīng)快、可靠性高等特點(diǎn)，解決硬盤(pán)IO性能瓶頸，大幅提升數(shù)據(jù)庫(kù)、虛擬化、搜索、Web、分布式存儲(chǔ)等應(yīng)用的業(yè)務(wù)性能。
圖1：閃存峰會(huì)華為展臺(tái)
華為ES3000 V3采用PCIe 3.0 x4信號(hào)，遵從NVMe標(biāo)準(zhǔn)，提供U.2盤(pán)（2.5寸，ES3600P V3）和半高半長(zhǎng)PCIe卡（ES3600C V3）兩種物理形態(tài)，***容量3.2TB，采用華為ASIC SSD控制器和創(chuàng)新的NVMControl技術(shù)，提供高達(dá)3.2GB/s帶寬和80萬(wàn)IOPS性能，支持熱插拔、UEFI啟動(dòng)、SR-IOV、原子寫(xiě)等特性。
圖2：華為ES3600P V3 NVMe SSD盤(pán)
圖3：華為ES3600C V3 NVMe SSD卡
早在今年1月歐洲商業(yè)驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)中心大會(huì)上，華為宣布啟動(dòng)服務(wù)器領(lǐng)域的“NVMe SSD 閃存風(fēng)暴”行動(dòng)，旨在使用ES3000 SSD同等容量替代SATA SSD，業(yè)務(wù)性能提升2倍以上，硬盤(pán)能耗節(jié)省40%，幫助客戶(hù)大幅提升業(yè)務(wù)性能，降低系統(tǒng)TCO。
本次展會(huì)，華為為參會(huì)觀眾準(zhǔn)備了ES3000 SSD性能測(cè)試環(huán)境，讓觀眾可以在現(xiàn)場(chǎng)體驗(yàn)華為ES3000 SSD的高性能。
圖4：華為ES3000 SSD現(xiàn)場(chǎng)性能測(cè)試
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