Intel/美光25nm工藝晶圓廠一日游（多圖）
上周末，Intel、美光合資閃存制造企業(yè)IM Flash Technologies, LLC(IMFT)宣布已經(jīng)開始試制25bn工藝NAND閃存芯片。除了紙面宣布外，他們實際上還邀請了多家媒體到IMFT位于美國猶他州Lehi的25nm工藝晶圓廠進行參觀。
位于雪山腳下的IMFT工廠
工廠結(jié)構(gòu)，制造半導(dǎo)體產(chǎn)品最關(guān)鍵的無塵室位于第三層，加壓吊頂形成由上向下的氣流，設(shè)備維護工作則在二層的“SubFab”層完成。
進入無塵室之前的“打包”過程。（由于無塵室內(nèi)部的嚴格要求，實際上以下內(nèi)部照片均來自IMFT官方）
晶圓廠內(nèi)走廊，頂端的自動運輸系統(tǒng)（AMHS）正在以每小時13公里的速度將晶圓在各個制造環(huán)節(jié)間運輸，24小時不停歇。每個運載器都打在了一個FOUP（前端開口片盒），其中可裝載最多25片300mm晶圓。
廠內(nèi)地面全部打孔，保證空氣從上向下流通，將落塵可能減到最小。
FOUP片盒掛接在一個制造階段設(shè)備上，后面的那個正在被AMHS吊起。
幾乎所有制造過程均為自動完成，因此廠內(nèi)大部分工人的工作就是保證這些設(shè)備正常運行。
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化學(xué)機械拋光（CMP）車間
照明受限的光刻車間
一塊光刻掩膜，光刻過程簡單的說就是將這塊掩膜上圖案“縮印”到晶圓上。
光刻過程中的“校準”
實時缺陷監(jiān)測（RDA）
FOUP片盒中的300mm晶圓
PCper記者手持一片25nm工藝300mm晶圓，總?cè)萘砍^2TB。
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300mm晶圓
每片閃存顆粒die容量為8GB（每格2GB），面積167平方毫米。
Intel副總裁，NAND閃存業(yè)務(wù)總經(jīng)理Tom Rampone手持25nm顆粒
尺寸對比
從左到右分別是：
2003年130nm工藝128MB，2005年90nm工藝512MB，2007年50nm工藝1GB，2009年34nm工藝4GB以及現(xiàn)在的25nm工藝8GB閃存。最右側(cè)是標準的TSOP閃存封裝尺寸。
使用25nm工藝閃存，只需要單die芯片即可造出Class 10級SD卡。Intel計劃，今年將基于該閃存造出***600GB的固態(tài)硬盤，而美光甚至計劃***推出1TB SSD。
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